Твердотельный накопитель Samsung 1000 Gb 990 PRO MZ-V9P1T0BW
1
2
3
4
5
15 700 ₽
Артикул: 24319
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Внешняя скорость передачи данных, до | 7877 |
| Номинальный объем | 1000 |
| Объем буфера | 1024 |
| Поддержка Background Garbage Collection | Да |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Серия продукции | 990 PRO |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 1200 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 1500 |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Интерфейс |
|
| Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 600 |
| Ударостойкость при работе | 1500 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 |
| Размеры |
|
| Комплект поставки | Накопитель, инструкция |
| Особенности | Поддержка TRIM, S.M.A.R.T., AES 256-bit |
| Тип комплектации | RTL |
| Энергопотребление при работе | 7.8 |
Уважаемые покупатели, чтобы получить быстрый ответ на свой вопрос воспользуйтесь модулем "Задать вопрос" в правой части экрана.