Твердотельный накопитель Samsung 1000 Gb 990 PRO MZ-V9P1T0BW
1
2
3
4
5
15 700 ₽
Артикул: 24319
Форм-фактор | M.2 2280 |
Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
Максимальная скорость чтения | 7450 |
Максимальная скорость записи | 6900 |
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Внешняя скорость передачи данных, до | 7877 |
Номинальный объем | 1000 |
Объем буфера | 1024 |
Поддержка Background Garbage Collection | Да |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
Позиционирование использования | Desktop |
Серия продукции | 990 PRO |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 1200 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 1500 |
Тип буферной памяти | DDR4 |
Интерфейс |
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 600 |
Ударостойкость при работе | 1500 |
Ударостойкость при хранении | 1500 |
Размеры |
|
Комплект поставки | Накопитель, инструкция |
Особенности | Поддержка TRIM, S.M.A.R.T., AES 256-bit |
Тип комплектации | RTL |
Энергопотребление при работе | 7.8 |
Уважаемые покупатели, чтобы получить быстрый ответ на свой вопрос воспользуйтесь модулем "Задать вопрос" в правой части экрана.